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1
Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente
Springer-Verlag Berlin Heidelberg
Dr.-Ing. habil. Jörg Schulze (auth.)
abb
gate
mosfet
typ
silizium
vsd
drain
bzw
mosfets
konzepte
zelle
vertikalen
kanalgebiet
vgl
iedm
spannung
herstellung
cmos
sio2
technologie
vertikale
zeigt
substrat
poly
tech
quasivertikalen
zustand
rechts
transistor
konzept
logik
mittels
deutschland
aufbau
elektronen
japan
schicht
transistors
dram
dotierten
dmos
elektrode
leistungs
dotierung
driftzone
ergibt
lateralen
realisierten
transistoren
abbildung
Tahun:
2005
Bahasa:
german
File:
PDF, 12.95 MB
Tag Anda:
0
/
5.0
german, 2005
2
Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente
Springer-Verlag Berlin Heidelberg
Dr.-Ing. habil. Jörg Schulze (auth.)
abb
gate
mosfet
typ
silizium
vsd
drain
bzw
mosfets
konzepte
zelle
vertikalen
kanalgebiet
vgl
iedm
spannung
herstellung
cmos
sio2
technologie
vertikale
zeigt
substrat
poly
tech
quasivertikalen
zustand
rechts
transistor
konzept
logik
mittels
deutschland
aufbau
elektronen
japan
schicht
transistors
dram
dotierten
dmos
elektrode
leistungs
dotierung
driftzone
ergibt
lateralen
realisierten
transistoren
abbildung
Tahun:
2005
Bahasa:
german
File:
PDF, 12.56 MB
Tag Anda:
0
/
0
german, 2005
3
Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente GERMAN
Springer
Jörg Schulze
abb
gate
mosfet
typ
silizium
vsd
drain
bzw
mosfets
konzepte
zelle
vertikalen
kanalgebiet
vgl
iedm
spannung
herstellung
cmos
sio2
technologie
vertikale
zeigt
substrat
poly
tech
quasivertikalen
zustand
rechts
transistor
konzept
logik
mittels
deutschland
aufbau
elektronen
japan
schicht
transistors
dram
dotierten
dmos
elektrode
leistungs
dotierung
driftzone
ergibt
lateralen
realisierten
transistoren
abbildung
Tahun:
2005
Bahasa:
german
File:
PDF, 13.28 MB
Tag Anda:
0
/
0
german, 2005
4
Aktive Mikrowellendioden
Springer-Verlag Berlin Heidelberg
Dr. rer. nat. Wolfgang Harth
,
Dr.-Ing. Manfred Claassen (auth.)
abb
gaas
diode
dioden
strom
gunn
funktion
spannung
abschnitt
electron
diodes
vgl
feldstärke
lawinenzone
dotierung
elektronen
wirkungsgrad
folgt
weite
bereich
kennlinie
ghz
daher
driftzone
negative
erhält
feld
verlauf
übergang
negativen
raumladungszone
dargestellt
proc
entsprechend
größer
ladungsträger
microwave
beweglichkeit
charakteristik
phys
relativ
barittdioden
ergibt
erreicht
geschwindigkeit
lawinenlaufzeitdioden
frequenz
influenzstrom
struktur
nimmt
Tahun:
1981
Bahasa:
german
File:
PDF, 5.32 MB
Tag Anda:
0
/
0
german, 1981
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